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IBM presenta una memoria 100 más rápida que las Flash

IBMmemoriaPCM

Con una capacidad 100 veces más rápida en lectura y escritura que las actuales NAND Flash, llegan las nuevas soluciones en las que está trabajando IBM basada en memoria de cambio de fase (PCM).

Además de velocidad, esta memoria ‘instantánea’ de IBM podrá almacenar cuatro bits de datos por cada celda superando la capacidad de la memoria no volátil más extendida en la actualidad, las Flash NAND. También será más fiable, hasta millones de ciclos de grabación frente a los miles de Flash.

Según IBM su coste será tan asequible que permitirá a los fabricantes utilizar este tipo de memorias en múltiples dispositivos desde teléfonos móviles a grandes servidores.

Parece que todos son ventajas aunque la memoria PCM de IBM, como otras de cambios de fase como PRAM y PCRAM, tendrá que lidiar con alguna de sus desventajas frente a Flash, la sensibilidad a la temperatura. También a la relajación en el cambio de estado físico incrementando su resistencia eléctrica y produciendo errores.

Aún queda tiempo para que este tipo de memorias estén en el mercado (2015) aunque parece que la tecnología de memorias basada en el cambio de fase se impondrán en el futuro. IBM no estará sola, ya que el gigante de la fabricación de memorias Samsung, también anunció investigaciones en esta tecnología.

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Nuria
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