Después de 10 años de investigación y desarrollo, Samsung ha anunciado que ya está produciendo la primera Samsung V-NAND 3D. Un mercado en el que se adentra con la previsión de que en 2016 este sector llegue a tener unos ingresos de 30.800 millones de dólares a nivel global, según IHS iSuppli.
Samsung está creando esta memoria flash vertical 3D para incluir con aplicaciones tanto para el mundo del consumo como el corporativo. Todo ello embebido en almacenamiento NAND y SSD. La idea es integrar una V-NAND que ofrece una densidad de 128 Gb en un solo chip. La memoria utilizaría una estructura de celda vertical basada en la tecnología 3D Charge Trap Flash.
Gracias a la implementación, Samsung prevé mejorar tanto el rendimiento como la velocidad de la memoria flash. Concretamente, espera que doble a una NAND de 10 mn estándar.
En palabras de Jeong-Hyuk Choi, vicepresidente senior de productos y tecnología flash de Samsung:
«La nueva V-NAND 3D es el resultado de los esfuerzos de los trabajadores para ir más allá de los enfoques tradicionales con fórmulas innovadoras en los diseños de tecnología de semiconductores. Con la producción de esta primera NAND 3D, seguimos introduciendo productos que mejoran el rendimiento y aumentan la densidad para contribuir al crecimiento de la industria global de memorias».
Samsung no ha declarado cuando tendrá lista esta nueva memoria flash pero si ha asegurado que quiere convertirse en un actor clave para los próximos años en materia de memorias. Veremos el resultado.
