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Actualidad, Tecnología

Samsung inicia producción en masa de V-NAND de 64 capas

V-NAND de 64 capas

La firma Samsung Electronics ha empezado la producción en masa de V-NAND  de 64 capas, un tipo de memoria que permitirá al gigante surcoreano amplia su catálogo de soluciones de almacenamiento.

Gracias a este salto en la capacidad productiva Samsung será capaz de cubrir hasta el 50% de sus necesidades de memoria flash con esos chips V-NAND  de 64 capas, que contarán con una capacidad de 256 Gb (32 GB) y serán de tipo TLC (Triple Level Cell o 3 bits por celda).

El salto a este nuevo tipo de memoria permitirá a la compañía coreana mejorar la producción hasta en 30% comparando con las soluciones de 48 capas. Esto permitirá mejorar los precios y ofrecer soluciones de almacenamiento más económicas dentro del mercado de consumo general, pero también abre las puertas a otras mejoras importantes que vamos a repasar a continuación:

  • Reducción de consumo de hasta el 30% (de 3,3V a 25,V).
  • Mejora de fiabilidad en hasta un 20%.
  • Es hasta 1,5 veces más rápida que la memoria V-NAND de 48 capas.

Samsung Electronics ha confirmado que estos nuevos chips de memoria se utilizarán tanto en soluciones UFS como en unidades SSD de todo tipo, lo que significa que jugará un papel importante en el portafolio de productos de la compañía.

También han comentado que el aumento de las capas supone un desafío cada vez mayor, pero que se han asegurado la tecnología necesaria para romper la barrera del terabit por cada chip gracias a la creación de V-NAND de 90 capas.

Os recordamos que este tipo de memoria se caracteriza por recurrir a un apilamiento en vertical de las celdas de memoria, una particularidad que le ha permitido ganarse el sobrenombre de memoria 3D.

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Isidro Ros
Editor de la publicación on-line líder en audiencia dentro del canal de distribución. Al día de todas las tecnologías que pueden marcar tendencia en la industria.

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