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Samsung quiere abaratar las SSD con memorias TLC 3D V-NAND

SSD

Samsung pretende abaratar el precio de los dispositivos basados en almacenamiento flash como las SSD, utilizando memorias TLC 3D V-NAND de 3 bits.

Se trata de una variante del diseño propietario de celdas 3D V-NAND que según la compañía permite superar el límite de densidad que actualmente enfrenta la arquitectura NAND plana utilizada en la memoria flash convencional, produciendo mejoras en la velocidad, resistencia y eficiencia energética.

El nuevo desarrollo está enfocado a lograr bajar el precio de las unidades de estado sólido, el único aspecto donde los discos duros son todavía más atractivos.

Como contrapartida, su rendimiento es inferior al de la memoria MLC NAND de 2 bits con velocidades de lectura y escritura un escalón por debajo aunque aún muy por encima de la de los discos duros. También será menor el ciclo de vida que ofrece la memoria TLC 3D V-NAND de 3 bits frente a su homónima MLC de 2 bits, lo que significa que los SSDs basados en la primera tendrán una vida útil más reducida en el tiempo.

En todo caso la ventaja de un precio más económico es esencial para extender las ventas de estas unidades de almacenamiento sólido y convertirlas en estándar de almacenamiento en varios segmentos computacionales.

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Juan Ranchal
Editor de la publicación on-line líder en audiencia dentro del canal de distribución. Al día de todas las tecnologías que pueden marcar tendencia en la industria.

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