La división Samsung Electronics, principal subsidiaria del grupo Samsung, ha anunciado oficialmente su memoria V-NAND Flash de 1 Tb, un avance importante en el mundo del almacenamiento que permitirá integrar hasta 2 TB utilizando un único encapsulado.
Con esta nueva solución de memoria V-NAND Flash de 1 Tb la compañía surcoreana apunta directamente al mercado profesional, donde ha confirmado que está empezando a probar muestras de sus próximos SSDs de pequeño tamaño tipo NGSFF con hasta 16 TB de capacidad de almacenamiento.
Gracias a esos SSDs será posible aumentar la capacidad de almacenamiento actual de los servidores hasta niveles inimaginables anteriormente. Un claro ejemplo de esto lo tenemos en la reciente demostración que llevó a cabo Samsung con 36 unidades SSD de tipo NGSFF integradas en un rack 1U, que ofrecían una capacidad de almacenamiento total de 576 TB (más de medio petabyte).
Dicho sistema era capaz de procesar además unos 10 millones de IOPS (lectura), un dato de rendimiento impresionante aunque no debemos olvidar que también sería posible romper la barrera del petabyte utilizando dos de esos sistemas de 576 TB.
Samsung ha confirmado que tiene planeado empezar a producir en masa los primeros SSDs de tipo NGSFF durante el cuarto trimestre de este año.
Por último la compañía surcoreana también ha aprovechado para presentar el SZ985, un SSD de alto rendimiento que destaca por ofrecer una latencia de apenas 15 ms (hasta siete veces menos que un SSD NVMe convencional).
Gracias a su alto rendimiento y baja latencia Samsung asegura que el SZ985 es capaz de eliminar cuellos de botella en las soluciones de almacenamiento empresarial, y también de mejorar el coste de propiedad.
