Intel pretende subir de nivel su apuesta por las unidades de estado sólido para convertirlas en estándar de almacenamiento, gracias al uso de chips de memoria 3D NAND que permitirán SSD de 10 TB.
Los nuevos chips de memoria son el fruto de la colaboración de Intel y Micron y son la respuesta a las 3D V NAND de Samsung.
Técnicamente, las 3D NAND de Intel permitirán apilar 32 capas para conseguir chips de 256 Gb (32 GB) de capacidad de almacenamiento en un único encapsulado MLC. La cifra sube hasta los 384 Gb (48 GB) por encapsulado TLC (triple-bit-per-cell).
Tanto las soluciones de Intel y Micron como las de Samsung, pretenden superar el límite de densidad que actualmente enfrenta la arquitectura NAND plana utilizada en la memoria flash convencional, produciendo mejoras en la velocidad, resistencia y eficiencia energética.
Además de capacidad, las nuevas SSD también serán más económicas, logrando reducir el precio por GB, quizá el único aspecto donde todavía los discos duros son superiores.
