Intel y Micron han presentado una nueva tecnología de memoria denominada 3D XPoint que aseguran puede ser hasta 1.000 veces más rápida, 1.000 veces más resistente y 10 veces más densa que la memoria flash NAND, la más utilizada actualmente y que son la base de las SSD, pendrives y otros dispositivos de almacenamiento.
3D XPoint ha necesitado una década de investigación, desarrollada desde cero para hacer frente a la necesidad de un almacenamiento y memoria no volátil y de alto rendimiento, de alta resistencia y alta capacidad, a un precio asequible.
«Durante décadas, la industria ha buscado formas de reducir el tiempo de demora entre el procesador y los datos para permitir un análisis mucho más rápido… Esta nueva clase de memoria no volátil logra este objetivo y ofrece un rendimiento que cambia las reglas del juego de las soluciones de memoria y almacenamiento”, ha explicado Rob Crooke, vicepresidente sénior y director general del Grupo de Soluciones de Memoria No Volátil (Non-Volatile Memory Solutions Group) de Intel.
La tecnología 3D XPoint estará disponible como muestra a finales de este año para clientes seleccionados. Intel y Micron están desarrollando productos individuales basados en esta importante tecnología, la primera categoría de memoria no-volátil presentada desde el lanzamiento de flash NAND en 1989, con potencial para revolucionar cualquier dispositivo, aplicación o servicio que se beneficie de un rápido acceso a grandes conjuntos de datos por ese prometido aumento de rendimiento de hasta 1.000 veces superior a NAND.
