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Samsung anuncia módulos RAM DDR3 de hasta 32 Gbytes de capacidad

La empresa surcoreana Samsung ha anunciado ser la primera compañía en ofrecer módulos de RAM DDR3 de alta densidad. Así pues la compañía ofrece módulos de hasta 32 Gbytes de capacidad, lo que traerá consigo un aumento de la memoria máxima en equipos. Son módulos que utilizan chips de 40 nm y que pasan desde el anterior tope de 16 Gbytes a ofrecer el doble de capacidad. En un principio son módulos RDIMM enfocados a servidores y ofrecerán un ahorro energético del 40% frente a la hornada anterior.

Los módulos de memoria RDIMM de Samsung comenzarán a fabricarse en masa durante este mes de abril. Los módulos en cuestión disponen de un diseño de 36 dobles capas con chips DDR3 que son capaces de funcionar en sistemas de doble CPU, servidores 2U y ofrece un nuevo máximo de soporte de RAM a los equipos de 384 Gbytes, frente a los 12 módulos de 16 Gbytes anteriores, 192 Gbytes.

Otra de las ventajas de los nuevos módulos de 40 nm es que pueden funcionar a una mayor frecuencia, 1.066 MHz (frente a 800 MHz), con un consumo inferior a igual cantidad de memoria, un 40% menos de energía.

Samsung está preparando actualmente memorias fabricadas en 30 nanómetros que conseguirán aún un mayor ahorro energético, pero no llegarán hasta la segunda mitad de año.

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